2024年11月18-21日，第十届国际第三代半导体论坛（IFWS2024）&第二十一届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2024）、先进半导体技术应用创新展（CASTAS）将在苏州国际博览中心举办。
中科重仪半导体科技有限公司（简称“中科重仪”）作为第三代半导体氮化镓（GaN）材料生产与技术应用的国家级高新技术企业，将携多款MOCVD设备及氮化镓外延片产品亮相此次展会。值此，诚挚邀请第三代半导体产业同仁共聚论坛，莅临B16号展位参观交流、洽谈合作。
研究报告
姚威振
中国科学院半导体研究所副研究员
姚威振，博士，中国科学院半导体研究所副研究员，硕士生导师。九三学社第十五届中央委员会科普工作委员会委员，北京市特聘专家，中国光学学会高级会员。主要从事宽禁带半导体材料器件与MOCVD装备设计建造技术及其应用研究。曾担任国际著名功率半导体公司STMicroelectronics骨干研发工程师，研究课题获得法国国家科学技术促进会（ANRT）Cifre项目资助。2018年获法国图尔大学工学博士学位，2018-2020年在中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室从事博士后研究，2021年获得中国科学院半导体研究所青年人才推进计划资助，2022年入选中国科学院特聘骨干岗位。凭借其宽禁带半导体材料及国产化MOCVD装备领域的深耕细作和参与多项跨学科的项目及研究经历，荣获“2023年中国产学研合作创新奖”。
报告内容：《GaN基光电材料外延与MOCVD反应腔结构关联性研究》
演讲会场：F2-氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术
GaN基半导体材料具有宽禁带，电子迁移饱和速率高，介电常数小，导热性能好等特点，MOCVD反应腔的温场和流场设计对其外延生长至关重要。现有的制备工艺易非故意引入高密度缺陷、杂质及表面起伏，严重影响了材料质量和器件性能，从而阻碍了GaN基光电器件的产业化进程。
报告研究了MOCVD反应腔结构与GaN基半导体材料生长质量关联性，通过有效调整腔室高度、气源预处理装置和天棚温度，探究了MOCVD腔室结构对GaN基材料外延生长的影响。
中科重仪
中科重仪半导体科技有限公司（简称“中科重仪”）是一家专注于第三代半导体氮化镓（GaN）材料生产与技术应用的国家级高新技术企业。公司成立于2021年，研发中心设在北京，生产基地设于苏州。公司主要从事科研型MOCVD（金属有机化学气相沉积法）国产高端设备，以及高品质、大尺寸GaN外延片材料的生产与销售，并可提供多种半导体测试、分析及定制化解决方案等服务。相关产品可广泛应用于消费电子、可再生能源、数据中心和新能源汽车等领域。您可以通过浏览官网：www.semi-casi.com，了解中科重仪的更多信息。
产品介绍
ZY-314/316/318 科研型MOCVD设备
- 自动化控制与数据分析系统：可运行数据处理，原料流量控制，监控辅助设备运行状况等功能，并可进行生长过程预演和回放，同时进一步增强了系统功能和可靠性。
- 集成VR深度辅助教学系统：用于MOCVD及配套设备模拟与实验室运营维护，以虚拟现实再现材料生长过程，将微观事物具象化，可缩短相关专业技能培训的周期，减少成本支出。
- 用户可定制化：可根据客户需求定制气体管路数量、外延片尺寸（2~8英寸），满足不同材料高质量外延生长。
氮化镓外延片
中科重仪依托自主研发生产型MOCVD设备，有效缓解外延片龟裂状况，并保持产品具有极低的翘曲度。公司所生产的GaN外延片产品拥有独有的高压厚膜缓冲层和钝化层设计，生产力及产品性能均达到国际先进水平。
