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中科重仪半导体

以第三代半导体GaN材料及应用技术为核心,国内唯一自主MOCVD设备和自主GaN外延材料为一体的产业化公司。

WHO ARE WE

关于中科重仪半导体

苏州中科重仪半导体材料有限公司(简称“中科重仪半导体”)是一家以第三代半导体GaN(氮化镓)材料及应用技术为核心的国家级高新技术企业,也是国内唯一自主MOCVD(金属有机化学气相沉积)设备和自主GaN外延材料为一体的产业化公司。公司研发中心设在北京,生产基地设于苏州。作为化合物半导体行业的创新者,公司拥有国际先进的GaN外延材料研发和产业化基地,主要提供硅基和蓝宝石基GaN功率器件外延片,以及具有自主知识产权的研究型MOCVD设备。相关产品主要应用于消费电子、数据中心、新能源汽车和微波射频等领域。

自主研发

借助自主研发的MOCVD设备,成功实现氮化镓芯片全产业链的国产化。

突破创新

致力于研发高品质、高性价比的氮化镓产品,确保产品性能达到国际先进水平。

技术驱动

拥有卓越的持续研发实力,积极探索氮化镓领域的新技术和新应用场景。

What We Do Best

产品技术

GaN-on-Si 外延片

GaN-on-Sapphire 外延片

GaN基HEMT大尺寸外延片

依托MOCVD自研技术与GaN关键工艺的协同创新,中科重仪半导体研发了适用于高压HEMT器件的大尺寸GaN外延材料,产品性能达到国际先进水平。

  • 应用晶圆应力与翘曲模型精准控制生长条件

  • 采用自研缓冲层和钝化层设计提升产品电子性能

  • 综合生产成本降低至行业平均水平的50%以下

研究型MOCVD设备

超宽工艺窗口,具备水平式与垂直式两种反应器结构设计,提供精确的温度、压力和气体流量控制,满足客户定制化需求。

APPLICATIONS

应用领域

中科重仪半导体研发生产的GaN基HEMT系列外延产品,具备高击穿电压、低泄露电流及始终如一的低翘曲度,性能表现位于国际前列。产品覆盖全功率范围,可应用于消费电子、工业电子、电动汽车、数据中心等领域,能根据客户要求定制解决方案。

消费电子

适用于制造高功率电源适配器和快速充电器,满足产品的OVP需要。使用GaN技术能显著缩减器件尺寸、降低系统成本、提高电源效率,助力消费类电子设备性能和外观全面升级。

工业电子

适用于制造电源逆变器和电机驱动器,可提升功率密度与可靠性,满足工业应用对于高频、高温、体积、重量、效率及辐射等方面的严苛需求,同时有效降低电力成本和用量压力。

电动汽车

有助于实现高功率密度的电力电子系统和轻量化设计,提高了性能和续航里程,降低系统成本。

数据中心

对于提高数据中心供电机架各功率转换级的效率和减小功率转换级的尺寸起着关键作用。

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